IRFB4110PBF | Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 370Вт
Обновляем информацию по складам...
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Корпус TO-220Структура транзистора N-ChannelНапряжение, В 100 VМаксимальный ток 180 AМаксимальная рассеиваемая мощность 370 WМонтаж Through HoleКоличество каналов 1 ChannelМаксимальная рабочая температура + 175 CМинимальная рабочая температура - 55 CVgs - напряжение затвор-исток 1.8 VТехнология Транзистора SiСопротивление сток-исток 3.7 mOhmsQg - заряд затвора 150 nCМощность рассеиваемая (Pd) - 370 ВтТип MOSFETДиапазон рабочих температур -55…+175 °СНапряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4ВСпособ монтажа Through HoleMSL(Уровень чувствительности к влажности) 1Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 ВУпаковка TUBE, 50 шт.Вес 2.9400 г.Размер фабричной упаковки 50 - Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А, 370 Вт
-
Самовывоз
Адрес склада: г. Химки ул. Панфилова д. 18 корп. 1
Парковка бесплатная (всегда есть свободные места)
График работы:
Пн-Чт 9:00-17:30
Пт 9:00-17:00
Сб-Вс Выходной
Доставка до ПВЗ от 400 ₽
Доставка курьером по адресу от 600 ₽
Отгрузка на терминал осуществляется каждый день и бесплатно
- Мы работаем только с юридическими лицами и ИП.
Заказ можно оформить удобным способом:
1. На сайте самостоятельно (на сайте представлена актуальная информация).
В письме укажите наименование и количество товара, а также данные о себе: имя, телефон, способ доставки и реквизиты организации.СПОСОБЫ ОПЛАТЫ
- предоплата по выставленному счет-договору
- возможна отсрочка платежа при заключении договора
x
Товар добавлен в корзину | ||
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |