IGBT модули
IGBT модули можно купить с доставкой по Москве и России. Самовывоз из г. Химки.
Мы поддерживаем широкий ассортимент IGBT модулей на складе в Москве со сроком отгрузки 1 день или предложим поставить продукцию с присоединенных российских и зарубежных складов. По крупнооптовым поставкам для получения специального предложения напишите на zakaz@elrus.ru.
В интернет-магазине Элрус доступны IGBT модули по выгодным ценам от ведущих мировых производителей, в том числе: Infineon, Mitsubishi, STM, TOSHIBA, IXYS и другие.
Наименование
Наименование Производитель Наличие / Срок Цена с НДС Заказать
SKIIP23NAB126V1

Биполярный транзистор IGBT

Документация SKIIP23NAB126V1 datasheet.pdf

SEMIKRON

48 шт / 3 дня

От 5 7 914 ₽
От 4 7 937 ₽
От 3 8 145 ₽
От 2 8 425 ₽
От 1 8 768 ₽
- шт+
=1 ₽
IKCM30F60GAXKMA1

Силовой драйвер управления 3-х фазным двигателем 600V 30A 30Вт на плечо

Документация IKCM30F60GAXKMA1 datasheet.pdf

Infineon

965 шт / 3 дня

От 28 1 187 ₽
От 11 1 205 ₽
От 1 1 254 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM100GB12T4

Биполярный транзистор IGBT

Документация SKM100GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

129 шт / 3 дня

От 3 5 632 ₽
От 2 5 754 ₽
От 1 5 967 ₽
- шт+
=1 ₽

Semikron Elektronik

86 шт / 2 дня

От 1 12 288 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM100GB125DN

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

Документация SKM100GB125DN datasheet.pdf

SEMIKRON

34 шт / 3 дня

От 2 10 649 ₽
От 1 10 950 ₽
- шт+
=1 ₽

Semikron Elektronik

42 шт / 2 дня

От 1 24 108 ₽
- шт+
=1 ₽
SKiiP11NAB126V1

IGBT модуль 1200В 8А


Semikron

13 шт / 1 день

От 10 6 271 ₽
От 4 6 476 ₽
От 1 6 817 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM200GB12T4

Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin

Документация SKM200GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

55 шт / 3 дня

От 3 9 881 ₽
От 2 10 044 ₽
От 1 10 395 ₽
- шт+
=1 ₽
FS75R12KE3BOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Документация FS75R12KE3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

16 шт / 3 дня

От 4 29 487 ₽
От 3 30 004 ₽
От 2 30 910 ₽
От 1 32 023 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM150GAL12T4

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

Документация SKM150GAL12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

23 шт / 3 дня

От 5 5 343 ₽
От 4 5 374 ₽
От 3 5 521 ₽
От 2 5 718 ₽
От 1 5 961 ₽
- шт+
=1 ₽
SEMIX341D16S

IGBT модуль 2600В 340А

Документация SEMIX341D16S datasheet.pdf

Semikron

18 шт / 1 день

От 12 11 417 ₽
От 4 11 671 ₽
От 2 12 052 ₽
От 1 12 686 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM300GAL12E4

Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А

Документация SKM300GAL12E4 datasheet.pdf

SEMIKRON

1 шт / 3 дня

От 1 11 286 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM50GB12T4

Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Документация SKM50GB12T4 datasheet.pdf

Semikron

5 шт / 1 день

От 5 5 542 ₽
От 1 5 834 ₽
- шт+
=1 ₽

SEMIKRON

6 шт / 3 дня

От 5 4 821 ₽
От 4 4 919 ₽
От 3 4 988 ₽
От 2 5 041 ₽
От 1 5 085 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM75GB12T4

Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

Документация SKM75GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

13 шт / 3 дня

От 5 4 767 ₽
От 4 4 799 ₽
От 3 4 932 ₽
От 2 5 111 ₽
От 1 5 330 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM145GB176D

Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А

Документация SKM145GB176D datasheet.pdf

SEMIKRON

5 шт / 3 дня

От 5 10 393 ₽
От 4 10 403 ₽
От 3 10 668 ₽
От 2 11 024 ₽
От 1 11 461 ₽
- шт+
=1 ₽
CM150DX-34SA

Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В

Документация CM150DX-34SA datasheet.pdf

MIT

2 шт / 3 дня

От 2 4 902 ₽
От 1 4 953 ₽
- шт+
=1 ₽

Mitsubishi

13 шт / 2 дня

От 8 5 102 ₽
От 2 5 389 ₽
От 1 6 480 ₽
- шт+
=1 ₽

Mitsubishi Electric

16 шт / 4 дня

От 1 12 663 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM150GB12T4G

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 232А

Документация SKM150GB12T4G datasheet.pdf

SEMIKRON

2 шт / 3 дня

От 2 9 522 ₽
От 1 9 905 ₽
- шт+
=1 ₽
SKIIP28ANB16V1

Мост выпрямительный трехфазный с дополнитеоьным ключом 26 выводов

Документация SKIIP28ANB16V1 datasheet.pdf

SEMIKRON

1 шт / 3 дня

От 1 7 405 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM200GB12E4

IGBT модуль, 1200 В, 314 А

Документация SKM200GB12E4 datasheet.pdf

SEMIKRON

4 шт / 3 дня

От 4 12 613 ₽
От 3 12 924 ₽
От 2 13 347 ₽
От 1 13 867 ₽
- шт+
=1 ₽
BSM50GX120DN2BOSA1

Биполярный транзистор IGBT

Документация BSM50GX120DN2BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

13 шт / 3 дня

От 4 22 315 ₽
От 3 22 755 ₽
От 2 23 461 ₽
От 1 24 327 ₽
- шт+
=1 ₽
FF100R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Документация FF100R12RT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

72 шт / 3 дня

От 3 5 853 ₽
От 2 5 977 ₽
От 1 6 198 ₽
- шт+
=1 ₽
FF150R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Документация FF150R12RT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

98 шт / 3 дня

От 3 7 096 ₽
От 1 7 326 ₽
- шт+
=1 ₽
FF300R12KE3HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт

Документация FF300R12KE3HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

51 шт / 3 дня

От 2 18 984 ₽
От 1 19 420 ₽
- шт+
=1 ₽
FF200R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Документация FF200R12KT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

91 шт / 3 дня

От 2 9 935 ₽
От 1 10 222 ₽
- шт+
=1 ₽
FP40R12KT3BOSA1

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

Документация FP40R12KT3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

23 шт / 3 дня

От 5 7 463 ₽
От 4 7 488 ₽
От 3 7 685 ₽
От 2 7 951 ₽
От 1 8 277 ₽
- шт+
=1 ₽
FP75R12KE3BOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

Документация FP75R12KE3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

8 шт / 3 дня

От 4 45 495 ₽
От 3 46 147 ₽
От 2 47 487 ₽
От 1 49 134 ₽
- шт+
=1 ₽
LG200HF060T1VH

E2A замена Semikron SKM195GB066D


LGE

6 шт / 2 дня

От 2 7 300 ₽
От 1 7 668 ₽
- шт+
=1 ₽
FP25R12W2T4BOMA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

Документация FP25R12W2T4BOMA1 datasheet.pdf

Infineon

16 шт / 3 дня

От 5 4 827 ₽
От 4 4 859 ₽
От 3 4 993 ₽
От 2 5 174 ₽
От 1 5 396 ₽
- шт+
=1 ₽
PM50RSD120

Драйвер управления двигателем интеллектуальный 7PAC 1200В 50А

Документация PM50RSD120 datasheet.pdf

MIT

1 шт / 3 дня

От 1 5 950 ₽
- шт+
=1 ₽
FF450R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Документация FF450R12KT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

42 шт / 3 дня

От 2 18 160 ₽
От 1 18 584 ₽
- шт+
=1 ₽
BSM75GB120DN2

Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Документация BSM75GB120DN2 datasheet.pdf

Infineon

10 шт / 3 дня

От 4 15 366 ₽
От 3 15 717 ₽
От 2 16 222 ₽
От 1 16 842 ₽
- шт+
=1 ₽
FF200R12KE3HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Документация FF200R12KE3HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

2 шт / 3 дня

От 2 17 936 ₽
От 1 18 615 ₽
- шт+
=1 ₽
x


AlfaSystems GoPro GP261D21