IGBT модули
IGBT модули можно купить с доставкой по Москве и России. Самовывоз из г. Химки.
Мы поддерживаем широкий ассортимент IGBT модулей на складе в Москве со сроком отгрузки 1 день или предложим поставить продукцию с присоединенных российских и зарубежных складов. По крупнооптовым поставкам для получения специального предложения напишите на zakaz@elrus.ru.
В интернет-магазине Элрус доступны IGBT модули по выгодным ценам от ведущих мировых производителей, в том числе: Infineon, Mitsubishi, STM, TOSHIBA, IXYS и другие.
Наименование
Наименование Производитель Наличие / Срок Цена с НДС Заказать
SKIIP23NAB126V1

Биполярный транзистор IGBT

Документация SKIIP23NAB126V1 datasheet.pdf

SEMIKRON

55 шт / 3 дня

От 5 7 515 ₽
От 4 7 540 ₽
От 3 7 739 ₽
От 2 8 007 ₽
От 1 8 336 ₽
- шт+
=1 ₽
IKCM30F60GAXKMA1

Силовой драйвер управления 3-х фазным двигателем 600V 30A 30Вт на плечо

Документация IKCM30F60GAXKMA1 datasheet.pdf

Infineon

967 шт / 3 дня

От 28 1 131 ₽
От 14 1 149 ₽
От 1 1 196 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM100GB12T4

Биполярный транзистор IGBT

Документация SKM100GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

140 шт / 3 дня

От 3 5 111 ₽
От 2 5 226 ₽
От 1 5 421 ₽
- шт+
=1 ₽

Semikron Elektronik

98 шт / 2 дня

От 1 12 288 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM100GB125DN

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

Документация SKM100GB125DN datasheet.pdf

Semikron Elektronik

27 шт / 2 дня

От 1 24 108 ₽
- шт+
=1 ₽
SKiiP11NAB126V1

IGBT модуль 1200В 8А


Semikron

13 шт / 1 день

От 10 5 908 ₽
От 4 6 101 ₽
От 1 6 422 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM200GB12T4

Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin

Документация SKM200GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

55 шт / 3 дня

От 3 9 382 ₽
От 2 9 540 ₽
От 1 9 875 ₽
- шт+
=1 ₽
FS75R12KE3BOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Документация FS75R12KE3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

16 шт / 3 дня

От 4 28 096 ₽
От 3 28 601 ₽
От 2 29 470 ₽
От 1 30 536 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM150GAL12T4

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

Документация SKM150GAL12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

23 шт / 3 дня

От 5 5 091 ₽
От 4 5 123 ₽
От 3 5 264 ₽
От 2 5 453 ₽
От 1 5 686 ₽
- шт+
=1 ₽
SEMIX341D16S

IGBT модуль 2600В 340А

Документация SEMIX341D16S datasheet.pdf

Semikron

18 шт / 1 день

От 12 11 294 ₽
От 4 11 545 ₽
От 2 11 921 ₽
От 1 12 548 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM300GAL12E4

Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А

Документация SKM300GAL12E4 datasheet.pdf

SEMIKRON

1 шт / 3 дня

От 1 10 727 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM50GB12T4

Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Документация SKM50GB12T4 datasheet.pdf

Semikron

5 шт / 1 день

От 5 5 482 ₽
От 1 5 771 ₽
- шт+
=1 ₽

SEMIKRON

11 шт / 3 дня

От 5 4 598 ₽
От 4 4 692 ₽
От 3 4 758 ₽
От 2 4 810 ₽
От 1 4 852 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM75GB12T4

Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

Документация SKM75GB12T4 datasheet.pdf

SEMIKRON

13 шт / 3 дня

От 6 4 526 ₽
От 4 4 559 ₽
От 3 4 687 ₽
От 2 4 858 ₽
От 1 5 068 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM145GB176D

Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А

Документация SKM145GB176D datasheet.pdf

SEMIKRON

5 шт / 3 дня

От 5 9 174 ₽
От 4 9 192 ₽
От 3 9 429 ₽
От 2 9 748 ₽
От 1 10 140 ₽
- шт+
=1 ₽
CM150DX-34SA

Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В

Документация CM150DX-34SA datasheet.pdf

MIT

2 шт / 3 дня

От 2 4 677 ₽
От 1 4 726 ₽
- шт+
=1 ₽

Mitsubishi

13 шт / 2 дня

От 8 5 140 ₽
От 2 5 432 ₽
От 1 6 588 ₽
- шт+
=1 ₽

Mitsubishi Electric

16 шт / 4 дня

От 1 12 723 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM150GB12T4G

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 232А

Документация SKM150GB12T4G datasheet.pdf

SEMIKRON

4 шт / 3 дня

От 4 8 529 ₽
От 3 8 751 ₽
От 2 9 050 ₽
От 1 9 417 ₽
- шт+
=1 ₽
SKIIP28ANB16V1

Мост выпрямительный трехфазный с дополнитеоьным ключом 26 выводов

Документация SKIIP28ANB16V1 datasheet.pdf

SEMIKRON

3 шт / 3 дня

От 3 6 526 ₽
От 2 6 755 ₽
От 1 7 037 ₽
- шт+
=1 ₽
SKM200GB12E4

IGBT модуль, 1200 В, 314 А

Документация SKM200GB12E4 datasheet.pdf

SEMIKRON

7 шт / 3 дня

От 5 11 655 ₽
От 4 11 659 ₽
От 3 11 953 ₽
От 2 12 348 ₽
От 1 12 834 ₽
- шт+
=1 ₽
BSM50GX120DN2BOSA1

Биполярный транзистор IGBT

Документация BSM50GX120DN2BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

15 шт / 3 дня

От 4 21 188 ₽
От 3 21 619 ₽
От 2 22 294 ₽
От 1 23 122 ₽
- шт+
=1 ₽
FF100R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Документация FF100R12RT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

74 шт / 3 дня

От 3 5 557 ₽
От 2 5 681 ₽
От 1 5 893 ₽
- шт+
=1 ₽
FF150R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Документация FF150R12RT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

184 шт / 3 дня

От 5 6 738 ₽
От 3 6 738 ₽
От 1 6 961 ₽
- шт+
=1 ₽
FF300R12KE3HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт

Документация FF300R12KE3HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

51 шт / 3 дня

От 2 18 026 ₽
От 1 18 451 ₽
- шт+
=1 ₽
FP40R12KT3BOSA1

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

Документация FP40R12KT3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

23 шт / 3 дня

От 5 7 111 ₽
От 4 7 138 ₽
От 3 7 327 ₽
От 2 7 582 ₽
От 1 7 894 ₽
- шт+
=1 ₽
FF200R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Документация FF200R12KT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

109 шт / 3 дня

От 2 9 433 ₽
От 1 9 713 ₽
- шт+
=1 ₽
FP25R12W2T4BOMA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

Документация FP25R12W2T4BOMA1 datasheet.pdf

Infineon

16 шт / 3 дня

От 6 4 600 ₽
От 4 4 632 ₽
От 3 4 761 ₽
От 2 4 935 ₽
От 1 5 147 ₽
- шт+
=1 ₽
LG200HF060T1VH

E2A замена Semikron SKM195GB066D


LGE

6 шт / 2 дня

От 2 7 221 ₽
От 1 7 560 ₽
- шт+
=1 ₽
FP75R12KE3BOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

Документация FP75R12KE3BOSA1 datasheet.pdf

Infineon

8 шт / 3 дня

От 4 43 197 ₽
От 3 43 839 ₽
От 2 45 121 ₽
От 1 46 695 ₽
- шт+
=1 ₽
PM50RSD120

Драйвер управления двигателем интеллектуальный 7PAC 1200В 50А

Документация PM50RSD120 datasheet.pdf

MIT

1 шт / 3 дня

От 1 5 680 ₽
- шт+
=1 ₽
FF450R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Документация FF450R12KT4HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

42 шт / 3 дня

От 2 17 243 ₽
От 1 17 656 ₽
- шт+
=1 ₽
BSM75GB120DN2

Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Документация BSM75GB120DN2 datasheet.pdf

Infineon

10 шт / 3 дня

От 4 14 590 ₽
От 3 14 933 ₽
От 2 15 416 ₽
От 1 16 010 ₽
- шт+
=1 ₽
FF200R12KE3HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Документация FF200R12KE3HOSA1 datasheet.pdf

Infineon

2 шт / 3 дня

От 2 17 045 ₽
От 1 17 695 ₽
- шт+
=1 ₽
x


AlfaSystems GoPro GP261D21