* Изображения служат только для ознакомления
* Для увеличения картинки нажмите на изображение
RF3L05200CB4 | Транзисторы радиочастотные
Обновляем информацию по складам...
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Корпус POWERSO10RFВес 4.000 г.Размер фабричной упаковки 5 - Радиочастотный LDMOS транзистор для двухтактных схем; 2 N-канальных транзистора; 28/32 В; 200 Вт; до 1000 МГц. Предназначен для широкополосной связи и приложений ISM с частотами от ВЧ до 1 ГГц в классах AB, B или C для всех типичных форматов модуляции.
Характеристики:
Тип транзистора: RF Power LDMOS N-канал;
Частота: 650 МГц;
Выходная импульсная мощность: 200 Вт;
Коэффициент усиления: 19 дБ;
Напряжение пробоя сток-исток: 90 В;
Номинальное напряжение: 28 В;
Корпус: LBB
Корпус POWERSO10RF -
Самовывоз
Адрес склада: г. Химки ул. Панфилова д. 18 корп. 1
Парковка бесплатная (всегда есть свободные места)
График работы:
Пн-Чт 9:00-17:30
Пт 9:00-17:00
Сб-Вс Выходной
Доставка до ПВЗ от 400 ₽
Доставка курьером по адресу от 600 ₽
Отгрузка на терминал осуществляется каждый день и бесплатно
- Мы работаем только с юридическими лицами и ИП.
Заказ можно оформить удобным способом:
1. На сайте самостоятельно (на сайте представлена актуальная информация).
В письме укажите наименование и количество товара, а также данные о себе: имя, телефон, способ доставки и реквизиты организации.СПОСОБЫ ОПЛАТЫ
- предоплата по выставленному счет-договору
- возможна отсрочка платежа при заключении договора
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|