IRFB9N65APBF

* Изображения служат только для ознакомления

IRFB9N65APBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1988248

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VISHAY

80 шт

Минимум: 2

3 дня
От 50261 ₽
От 28269 ₽
От 14280 ₽
От 7295 ₽
От 1313 ₽
-шт+

Данные обновлены 19.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
    Производитель
    VISHAY
    Корпус
    TO-220AB-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    650 V
    Максимальный ток
    8.5 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    167 W
    Монтаж
    Through Hole
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    930 mOhms
    Qg - заряд затвора
    48 nC
    Вес
    2.6700 грамм
  • Документация IRFB9N65APBFdatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21